Разработки Дагестанского государственного технического университета завоевали серебряную медаль международной выставки в Сеуле и спецприз Инвестиционной ассоциации Тайваня, сообщили РИА «Дагестан» в пресс-службе вуза.

Седьмая Международная выставка-форум женщин-изобретателей «KIWIE-2014» прошла с 15 по 17 мая в городе Сеуле (Республика Корея). Мероприятие проводилось Корейским агентством по интеллектуальной собственности (KIPO) при поддержке Всемирной организации по интеллектуальной собственности (WIPO) и Всемирной ассоциации женщин-изобретателей и предпринимателей (WWIEA).

В составе российской экспозиции впервые принял участие в этом мероприятии Дагестанский государственный технический университет. Коллектив ученых под руководством Т. Исмаилова представил на выставку 2 инновационные разработки: «Термоэлектрическое устройство для лечения кисти» и «Светотранзистор».

Термоэлектрическое устройство для лечения кисти предназначено для температурного воздействия при лечении гнойно-воспалительных и послетравматических заболеваний кисти. Устройство содержит корпус с емкостью для лечебного раствора, подставку под кисть пациента в форме «грибка» и пять металлических стаканов, расположенных симметрично относительно оси симметрии корпуса, к внешней поверхности каждого из которых присоединены термоэлектрические модули для обеспечения теплового контакта.
Конструкция отличается простотой, надежностью, удобством в использовании, позволяет повысить эффективность лечебного воздействия за счет сочетания рефлекторной и тепловой процедур.

В светотранзисторе, выполненном в виде биполярного транзистора с p-n-p или n-p-n-структурой, переход, на котором электроны из p-зоны переходят в n-зону, сформирован в виде светоизлучающего. Часть тепловой энергии превращается в излучение, что позволяет уменьшить нагрев транзистора.

В техническом плане внедрение этого устройства позволит исключить выход из строя интегральных схем в результате тепловых пробоев. Кроме того, улучшение тепловых режимов за счет охлаждения позволяет на 1-2 порядка повысить степень интеграции полупроводниковых компонентов и вплотную приблизиться к нанотехнологическому уровню, что позволит увеличить как быстродействие интегральных микросхем, так и расширить функциональные возможности и объемы обрабатываемой информации.

Обе разработки защищены патентами Российской Федерации и готовы к внедрению в производство.