Грант  Президента Российской Федерации вручили преподавателю Дагестанского государственного технического университета, сообщили РИА «Дагестан» в пресс-службе вуза.

«Грант Президента РФ старшему преподавателю ДГТУ Т. Челушкиной вручил главный федеральный инспектор аппарата полномочного представителя Президента РФ в СКФО по РД В. Колесников. Проект Т. Челушкиной «Исследование электротеплофизических свойств светотранзистора» стал обладателем гранта Президента РФ для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук», – рассказали в пресс-службе.

Колесников поздравил победительницу и вручил ей свидетельство. Вместе со словами пожеланий была выражена надежда, что грантообладатель и дальше будет плодотворно работать в научной среде, внесет значительный вклад в российскую науку и получит очередное признание.

Гранты Президента Российской Федерации выделяются для поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук и докторов наук, а также для государственной поддержки ведущих научных школ. Эти средства используются для финансирования расходов на проведение фундаментальных и прикладных научных исследований по приоритетным направлениям развития науки, технологий и техники по всем областям знаний.

Проект Т. Челушкиной «Исследование электротеплофизических свойств светотранзистора» является небольшой частью комплексных исследований полупроводниковых термоэлектрических устройств и приборов и протекающих в них тепло- и электрофизических процессов, которые проводятся в последние годы на кафедре теоретической и общей электротехники под руководством профессора, заслуженного деятеля науки РФ Т. Исмаилова.

Главной задачей изобретателя в современных условиях является определение основных направлений развития как электронных компонентов, так и технологий в целом, причем результатом изобретательской деятельности должно быть повышение эффективности устройства, увеличение быстродействия, уменьшение энергозатрат и снижение стоимости.

Одной из основных тенденций развития современной электронной техники является микроминиатюризация электронных компонентов интегральных схем. Главным препятствием на пути улучшения их параметров стало возрастание уровня тепловыделений. Применение систем охлаждения за счет громоздкости и инерционности малоэффективно. Свои сложности имеются также у криоэлектроники в области сверхпроводимости.

Обобщая перечисленные недостатки современных электронных схем, можно констатировать, что все электронные компоненты в большей или меньшей степени являются источниками тепловыделения. При создании новых электронных компонентов традиционно в качестве основных критериев рассматриваются быстродействие, габариты, энергопотребление и в последнюю очередь, по остаточному принципу, уровень тепловыделений активных и пассивных компонентов электронных схем. Традиционные методы отвода тепла практически исчерпали себя при конструировании сверхбольших интегральных схем. В то же время современные электронные компоненты позволяют модифицировать отвод тепла для перспективных разработок.

Применение светотранзисторов при создании сверхбольших интегральных схем позволяет снизить тепловыделения за счет того, что вместо тепла энергия мгновенно отводится в окружающую среду в виде излучения. Это особенно важно для интегральных схем с высокой степенью интеграции, так как позволяет разместить большее число компонентов на единицу площади. Уменьшение тепловых выделений позволяет исключить вероятность теплового пробоя транзистора. Таким образом, система охлаждения транзистора оказывается неотъемлемой частью самого транзистора, причем отвод тепла происходит практически безынерционно со скоростью света.

С появлением светотранзисторов произойдет радикальное изменение процессов проектирования микроэлектронных схем, так как резко меняются все теплофизические показатели. В ближайшее время это коснется всех электронных устройств, и мы опять станем свидетелями и участниками изменений облика сотовых телефонов, компьютеров, телевизоров и другой аппаратуры бытового, специального и военного назначения.